SK 하이닉스 DRAM 선두주자 되나

 SK 하이닉스가 10 나노급 6세대 D1C 미세공정을 적용한 16GB DDR5 개발했다고 밝혔습니다.

DRAM 기술을 이끌어오던 삼성전자를 제치고 SK 하이닉스가 미세공정 경쟁에서 우위를 확보했다고 볼 수 있는데요.

앞으로의 DRAM 시장에 대해 현직 및 여론의 의견을 종합하여 이야기해 보겠습니다.

DRAM 반도체

D1c란 무엇인가?

 10 나노급 DRAM이 개발되면서 미세공정에 대한 명칭은 알파벳순으로 정해지고 있는데요. (알파벳 각각의 의미는 없습니다)

 D1a, D1b에 이어 D1c로 넘어가고 있고 (a, b, c로 넘어갈수록 미세 첨단 공정이 필요합니다.) D1c는 24년 하반기 현재 개발단계에 있던 최신 미세공정을 적용한 제품입니다.

 현재 우리나라 기업들은 D1c 양산을 위해 경쟁 중이었는데 SK 하이닉스가 먼저 고객사 인증과 양산을 시작하고 있습니다.

SK하이닉스가 앞서는 이유

 SK하이닉스와 삼성과의 기술격차가 나오는 것에는 많은 이유가 있겠습니다만..

 현직자 및 제 생각을 더해 몇가지만 이야기해 보자면 우선 투자와 기술 집중력의 차이가 발생하고 있는 것으로 보입니다.

 무슨 이야기냐면... 삼성은 비메모리와 메모리 두 마리 토끼를 잡기 위해 수십 년 노력을 하고 있으나 2010년 이후 고도 기술력이 요구되는 시기가 도래하여 선택과 집중이 필요하나 삼성은 미련을 버리지 못하는 것 같습니다.

 결국 파운드리는 TSMC 메모리는 SK 하이닉스에 밀리는 형국이며 이는 지속될 가능성이 커 보입니다.

 둘째로, 삼성전자의 내부 갈등이 원인이 될 것 입니다.

 삼성전자의 파업에 대해선 여러차례 포스팅을 했었는데 첩보에 의하면 파업갈등은 여전히 해결되고 있지 않습니다. 노사 간의 갈등은 사기저하 및 근무태만등의 결과를 가져올 것이고 이는 경쟁력 약화로 나타날 것입니다. 

SK 하이닉스와 삼성전자의 최종승자는

삼성전자는 총체적 난국에 빠져 있습니다. 아래 기사 보시면 SK하이닉스는 D1c 24년 3Q 양산발표를 하였지만 삼성전자는 12월이 되어도 양산할 수 있을지 장담을 하지 못하는 상황입니다. HBM 시장도 SK 하이닉스가 주도하고 있는데 당연히 D1c를 이용한 HBM도 하이닉스가 주도하게 될 것입니다.

 

차세대 '6세대 10나노' D램…SK하이닉스, 삼성보다 빠르다 - 머니투데이

 

앞으로 두회사의 격차는 벌어질 가능성이 커 보입니다만 한가지 변수가 있습니다. 

 바로 차세대 DRAM인 3D D램의 시대가 얼마남지 않았기 때문입니다. 아시다시피 Nand Flash Memory 시장은 삼성이 주도하고 있고 3D Nand 시장도 삼성이 열고 지금까지 선도하고 있습니다.

 DRAM도 3D로 변경이 불가피한 상황인데 D1d 이후로는.. 아직 개발계획이 없을 정도로 미세공정의 한계에 봉착했기 때문입니다. 삼성전자의 물량공세가 3D Dram에 집중된다면 시장을 선도할 가능성이 커 보입니다.

 

 

삼성전자, 차세대 '3D D램' 개발 열공…셀 16단 적층 시도

 

향후 2~3년 안의 판세는 크게 지금과 다르지 않을 것 같다는 게 저의 의견입니다.

 현 상태로는 Dram 시장을 SK가 선도할 가능성이 커 보이고 삼성이 아주 빠르게 뒤쫓는 형국이 이어질 것입니다.

 삼성은 파운드리 사업을 포기할 수가 없는 상태인데..(메모리와 파운드리는 라인셋업 구조 및 설비 투자계획부터 완전히 다릅니다..) LG 전자가 정말 포기하기 힘들었던 모바일 사업부를 철수했듯이 삼성전자가 파운드리 사업을 접고 메모리에 집중하는 결단이 필요한 시기가 다가올 수 도 있을 것 같습니다..