반도체 8대 공정

 반도체 8대 공정에 대해서는 관심이 있으신 분은 아시겠지만 저는 부서 배치를 받기 전에도 다 알지 못했습니다. 그만큼 많은 사람들의 관심이 적은 분야이기도 하고 외부에 정보가 많이 없는 것도 사실입니다. 반도체 8대 공정에 대해 대략적으로 말해보겠습니다.

 

1. 반도체 8대공정

 반도체 8대 공정은 순서대로 웨이퍼 제조 -> 산화공정 -> 포토공정 -> 식각 공정 -> 증착&이온주입공정 -> 금속배선공정 -> EDS 공정 -> 패키징 공정으로 이루어집니다. 이는 회사 홈페이지에 나오는 순서이며 협업에서는 8대 공정을 다르게 정의합니다. 협업에서는 PHOTO, ETCH, CVD, DIFF, METAL, CLN, CMP, IMP를 통틀어 8대 공정으로 부르고 이 공정들이 총 백여 개 이상의 공정과정을 거쳐 반도체 웨이퍼를 만들게 됩니다. 

 

2. 협업 8대 공정에 대해 간략한 설명

PHOTO : 포토공정은 동그란 웨이퍼 기판에 회로의 밑그림을 그리는 공정으로 반도체를 만드는 과정 중 가장 기본이 되는 공정입니다.

ETCH : 웨이퍼를 식각 하는 공정으로 포토에서 만든 밑그림을 이용해 반도체를 조각하는 과정입니다.

CVD, DIFF : 방식만 다를 뿐 반도체 구성에 필요한 막질을 덮는 공정입니다.

MATAL : 금속 배선 막질을 덮는 공정입니다.

CLN : 막질을 덮거나 식각 하는 과정에서 생기는 부산물을 없애는 공정입니다.

CMP : 포토공정에서 밑그림을 잘 그리게 하기 위해 막질을 평탄화하는 공정

IMP : 반도체 동작에 필요한 이온주입을 하는 공정입니다. 반도체의 전기적 특성을 만들어 줍니다.

 

3. 중요도

8대 공정 모두 중요한 공정이지만 반도체 집적도가 미세화 될수록 PHOTO, ETCH의 중요도가 높아지고 있습니다. FALSH MEMORY 경우 현재 개발 중인 MEMORY는 Vertical 식으로 개발되고 있으며 반도체 높이가 높아 짐에 따라 수직으로 막질을 식각 하는 공정인 ETCH 의 중요도가 더욱 커지고 있습니다. 그 외 공정들도 반도체 미세화에 따라 난이도가 높아지고 있는데 세밀한 반도체를 만들기 위해선 막질을 더욱 균일하게 덮어야하고 밑그림을 더욱 촘촘히 그려야하며 아주 작은 미세먼지에도 매우 민감하게 반응하기 때문입니다.

 

4. 그 외 공정에 대한 간략한 설명

웨이퍼 제조 : 잉곳(INGOT)이라고 하는 실리콘 기둥을 만들고 원판 모양으로 잘라 반도체를 만드는 동그란 판인 웨이퍼를 만드는 공정입니다.

EDS : 반도체가 웨이퍼에 만들어지고 제대로 동작하는지 테스트하게 되는데 이과정에서 불량 웨이퍼는 상품으로 출하되지 않도록 막는 역할을 합니다.

패키징 : 상품 출하가 가능한 웨이퍼를 칩 모양으로 자르고 외부 환경으로부터 보호하기 위한 플라스틱 패킹을 하는 공정입니다.